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Artigo de periodico
Magnetoresistance studies of strongly coupled superlattices (2004)
Deacon, R S; Nicholas, R J; Henriques, André Bohomoletz; Mason, N J
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SISTEMAS DINÂMICOS
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ABNT
DEACON, R S et al. Magnetoresistance studies of strongly coupled superlattices. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.010. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Deacon, R. S., Nicholas, R. J., Henriques, A. B., & Mason, N. J. (2004). Magnetoresistance studies of strongly coupled superlattices. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.12.010
NLM
Deacon RS, Nicholas RJ, Henriques AB, Mason NJ. Magnetoresistance studies of strongly coupled superlattices [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.010
Vancouver
Deacon RS, Nicholas RJ, Henriques AB, Mason NJ. Magnetoresistance studies of strongly coupled superlattices [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.010
Trabalho de evento-resumo
Suppression of vertical conduction in InAs/GaSb superlattices in high magnetic fields (2002)
Henriques, André Bohomoletz; Martin, R V; Oliveira Jr., N. F.; Nicholas, R J; Mason, N J
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Suppression of vertical conduction in InAs/GaSb superlattices in high magnetic fields. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Henriques, A. B., Martin, R. V., Oliveira Jr., N. F., Nicholas, R. J., & Mason, N. J. (2002). Suppression of vertical conduction in InAs/GaSb superlattices in high magnetic fields. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Henriques AB, Martin RV, Oliveira Jr. NF, Nicholas RJ, Mason NJ. Suppression of vertical conduction in InAs/GaSb superlattices in high magnetic fields. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 07 ]
Vancouver
Henriques AB, Martin RV, Oliveira Jr. NF, Nicholas RJ, Mason NJ. Suppression of vertical conduction in InAs/GaSb superlattices in high magnetic fields. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 07 ]
Artigo de periodico
Photoluminescence of 'GA' sb grown by metal-organic vapour phase epitaxy (1991)
Henriques, André Bohomoletz; Chidley, E T R; Haywood, S K; Nicholas, R J; Mason, N J; Walker, P J
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Photoluminescence of 'GA' sb grown by metal-organic vapour phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology, v. 6 , p. 45, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/6/1/009. Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Henriques, A. B., Chidley, E. T. R., Haywood, S. K., Nicholas, R. J., Mason, N. J., & Walker, P. J. (1991). Photoluminescence of 'GA' sb grown by metal-organic vapour phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology, 6 , 45. doi:10.1088/0268-1242/6/1/009
NLM
Henriques AB, Chidley ETR, Haywood SK, Nicholas RJ, Mason NJ, Walker PJ. Photoluminescence of 'GA' sb grown by metal-organic vapour phase epitaxy [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1991 ;6 45.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/6/1/009
Vancouver
Henriques AB, Chidley ETR, Haywood SK, Nicholas RJ, Mason NJ, Walker PJ. Photoluminescence of 'GA' sb grown by metal-organic vapour phase epitaxy [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1991 ;6 45.[citado 2024 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/6/1/009
Artigo de periodico
Growth of gasb by movpe (1988)
Haywood, S K; Henriques, André Bohomoletz; Mason, N J; Nicholas, R J; Walker, P J
Source: Semicond Sci Technol. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA EXPERIMENTAL
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ABNT
HAYWOOD, S K et al. Growth of gasb by movpe. Semicond Sci Technol, v. 3 , n. 4 , p. 315-20, 1988Tradução . . Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Haywood, S. K., Henriques, A. B., Mason, N. J., Nicholas, R. J., & Walker, P. J. (1988). Growth of gasb by movpe. Semicond Sci Technol, 3 ( 4 ), 315-20.
NLM
Haywood SK, Henriques AB, Mason NJ, Nicholas RJ, Walker PJ. Growth of gasb by movpe. Semicond Sci Technol. 1988 ;3 ( 4 ): 315-20.[citado 2024 maio 07 ]
Vancouver
Haywood SK, Henriques AB, Mason NJ, Nicholas RJ, Walker PJ. Growth of gasb by movpe. Semicond Sci Technol. 1988 ;3 ( 4 ): 315-20.[citado 2024 maio 07 ]
Artigo de periodico
Characterization of gasb and of a gasb / inas heterojunction (1988)
Haywood, S K; Henriques, André Bohomoletz; Howell, D F; Mason, N J; Nicholas, R J
Source: Institute of Physics, Conference Series. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
HAYWOOD, S K et al. Characterization of gasb and of a gasb / inas heterojunction. Institute of Physics, Conference Series, v. 91, p. 271-6, 1988Tradução . . Acesso em: 07 maio 2024.
APA
Haywood, S. K., Henriques, A. B., Howell, D. F., Mason, N. J., & Nicholas, R. J. (1988). Characterization of gasb and of a gasb / inas heterojunction. Institute of Physics, Conference Series, 91, 271-6.
NLM
Haywood SK, Henriques AB, Howell DF, Mason NJ, Nicholas RJ. Characterization of gasb and of a gasb / inas heterojunction. Institute of Physics, Conference Series. 1988 ;91 271-6.[citado 2024 maio 07 ]
Vancouver
Haywood SK, Henriques AB, Howell DF, Mason NJ, Nicholas RJ. Characterization of gasb and of a gasb / inas heterojunction. Institute of Physics, Conference Series. 1988 ;91 271-6.[citado 2024 maio 07 ]

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